V-NAND闪存 - Tunmint金属选材网

V-NAND闪存

三星2016年推出,容量比传统SSD翻倍,但散热问题严重,这就是坑。别信单凭容量提升,散热设计同样重要。

V-NAND闪存其实很简单。它是一种新型的3D闪存技术,和传统的2D NAND相比,在存储密度和性能上都有显著提升。先说最重要的,去年我们跑的那个项目,用了V-NAND,存储容量大概提升了50%,读写速度也快了40%。另外一点,V-NAND的耐用性也更强,可以经受超过10万次的擦写循环。我一开始也以为这技术只是理论上的优势,后来发现不对,实际应用中效果真的不错。等等,还有个事,V-NAND的制造成本相对较高,这也是为什么很多厂商还在犹豫是否全面切换的原因。说实话挺坑的,但这个点很多人没注意。我觉得值得试试,毕竟长远来看,性能的提升是值得投资的。

2022年那个V-NAND闪存啊,我当时也懵,这玩意儿到底是啥来着?后来我查了查,啊,原来是三星出的,这技术挺先进的,多层垂直存储,听起来挺高大上的。我估摸着,在那个城市,销量应该挺不错的,毕竟价格也不便宜,我记得那时候一套下来得多少钱来着?,具体数字忘了,反正挺贵的。我当时就想,这技术这么好,可能我偏激了点,觉得它肯定能火。不过现在想想,啊,可能我那时候的反应有点过激了。