V-NAND

三星V-NAND，3D堆叠存储芯片，快速且持久。
我个人使用感觉读写速度很快，而且没有失败。
我仍在查看，但它看起来比 2D 更好。

V-NAND是三星的闪存技术。事实上，多层是一种垂直堆叠的存储单元，比传统的平面堆叠要快得多。上周我只完成了一个项目。 V-NAND用于固态硬盘，读写速度都非常快。亲眼看看，这项技术很棒。